Как найти плотность заряда на пластине

Тема: Определить поверхностную плотность зарядов  (Прочитано 7373 раз)

0 Пользователей и 1 Гость просматривают эту тему.

1. 34. Определить поверхностную плотность зарядов на пластинах плоского слюдяного (ε = 7) конденсатора, заряженного до разности потенциалов U = 200 B, если расстояние между его пластинами равно d = 0,5 мм. Ответ: 3,54 мкКл/м2. Сделать рисунок.


Записан


Решение.
Разность потенциалов между обкладками конденсатора определим по формуле:

[ U=Ecdot d (1). ]

Напряженность поля между двумя пластинами конденсатора определяется по формуле:

[ E=frac{sigma }{varepsilon cdot {{varepsilon }_{0}}}(2). ]

Где: ε = 7 – диэлектрическая проницаемость слюды, ε0 = 8,854∙10-12 Ф/м – электрическая постоянная.
(2) подставим в (1) определим поверхностную плотность зарядов на пластинах плоского слюдяного конденсатора.

[ U=frac{sigma }{varepsilon cdot {{varepsilon }_{0}}}cdot d,sigma =frac{Ucdot varepsilon cdot {{varepsilon }_{0}}}{d}.sigma =frac{200cdot 7cdot 8,85cdot {{10}^{-12}}}{0,5cdot {{10}^{-3}}}=24,78cdot {{10}^{-6}}.
 ]

Оитвет: 24,78 мкКл/м2.

« Последнее редактирование: 16 Августа 2016, 16:26 от alsak »


Записан


Обучайтесь и развивайтесь всесторонне вместе с нами, делитесь знаниями и накопленным опытом, расширяйте границы знаний и ваших умений.

поделиться знаниями или
запомнить страничку

  • Все категории
  • экономические
    43,651
  • гуманитарные
    33,653
  • юридические
    17,917
  • школьный раздел
    611,896
  • разное
    16,900

Популярное на сайте:

Как быстро выучить стихотворение наизусть? Запоминание стихов является стандартным заданием во многих школах. 

Как научится читать по диагонали? Скорость чтения зависит от скорости восприятия каждого отдельного слова в тексте. 

Как быстро и эффективно исправить почерк?  Люди часто предполагают, что каллиграфия и почерк являются синонимами, но это не так.

Как научится говорить грамотно и правильно? Общение на хорошем, уверенном и естественном русском языке является достижимой целью. 

Конденсатор представляет собой устройство, которое накапливает электрический заряд в виде разности потенциалов между двумя пластинами и электрического поля в конденсаторе при приложении источника напряжения.

Разность потенциалов создается переносом электронов от положительной клеммы к отрицательной клемме конденсатора и созданием электрического поля в конденсаторе. Эта разность зарядов хранит электрическую энергию в виде потенциала заряда и пропорциональна плотности заряда на каждой пластине.

Электрическое поле в формуле конденсатора

Подобно положительным и отрицательным зарядам, пластина конденсатора также ведет себя как акцепторная и донорная пластина, когда источник проходит через пластины конденсатора. Положительный вывод конденсатора будет отдавать электрон, и эти свободные электроны будут приняты отрицательным выводом конденсатора.

Различные типы конденсаторов; Кредит изображения: Pixabay

Из-за подвижности свободных зарядов внутри конденсатора будет введен электрический поток и полное электрическое поле в конденсаторе будет

Е=δ/∈0

Плотность заряда каждой пластины конденсатора называется поверхностной плотностью, которая определяется как заряд, присутствующий на поверхности пластины на единицу площади, и выражается как σ =В/О.

Следовательно,

Это уравнение дает электрическое поле, создаваемое между двумя пластинами конденсатора.

Электрическое поле внутри конденсатора

Конденсатор состоит из двух обкладок с разной плотностью заряда. электрический поток проходит через обе поверхности каждой пластины, следовательно, площадь = 2A.

Рассмотрим две пластины, имеющие положительную плотность поверхностного заряда и отрицательную плотность поверхностного заряда, разделенные расстоянием d. Пусть А – площадь пластин. Линия электрического потока проходит от положительно заряженной пластины к пластине с большинством отрицательных носителей, как показано на рисунке ниже.

электрическое поле в конденсаторе

Параллельный пластинчатый конденсатор

Пусть P будет любой точкой посередине двух заряженных пластин конденсатора.

Применяя закон Гаусса,

φ =ЭА

Электрическое поле, создаваемое одной заряженной пластиной конденсатора, равно

E.2A= q/ε0

Мы знаем, что σ = Q/A

Используя это в приведенном выше уравнении

Следовательно, результирующее электрическое поле в любой точке между пластинами конденсатора будет складываться.

Подставляя значение для σ, мы получаем

Это полное электрическое поле внутри конденсатора из-за двух параллельных пластин.

Какое электрическое поле создает плоский конденсатор с площадью поверхности 0.3 м?2 и несущий заряд 1.8С?

Данный: д=1.8°С

А= 0.3 м2

У нас есть

= 0.68 х 1012 В / м

Электрическое поле, создаваемое параллельным конденсатором с зарядом 1.8 Кл, составляет 0.68 х 1012 В / м.

Электрическое поле вне конденсатора

Теперь, если точка P лежит вне конденсатора, то электрическое поле в точке P из-за пластины, имеющей положительно заряженную поверхностную плотность, равно

Принимая во внимание, что электрическое поле в точке P из-за отрицательного заряда пластины поверхностной плотности конденсатора равно

Следовательно, суммарное электрическое поле, создаваемое обеими пластинами конденсатора, равно

Э=Э1+E2

Е = 0

В любой точке вне конденсатора электрическое поле всегда равно нулю. Потому что при подаче электрического тока через конденсатор один вывод конденсатора будет иметь положительную поверхностную плотность заряда, а другой – отрицательную.

Электрическое поле в конденсаторе с диэлектриком

Теперь мы знать, что в присутствии вакуума, электрическое поле внутри конденсатора равно E=σ/ε0 , разность потенциалов между двумя пластинами равна V=Ed, где d — расстояние, разделяющее две пластины, и, следовательно, емкость в этом случае равна

С= Q/V = ε0Объявление

Теперь, если мы поместим диэлектрик между двумя пластинами конденсатора с поляризацией, занимающий все пространство между двумя пластинами, поверхностные плотности заряда двух пластин равны +σp и –σn. Таким образом, суммарная плотность поверхностного заряда обеих пластин равна

Следовательно, электрическое поле через конденсатор равно

Таким образом, разность потенциалов становится

Для линейных диэлектриков

Итак,

Где k является диэлектрической проницаемостью и больше 1, т.е. k>1.

Следовательно, разность потенциалов теперь становится

Вставка значения поверхностной плотности заряда

V= Qd/Aε0k

Следовательно, емкость конденсатора равна

С= Q/V = ε0кА/д

ε0k — диэлектрическая проницаемость среды и обозначается как ε

Поэтому уравнение теперь становится

C= εA/d

Чему равны электрическое поле и разность потенциалов конденсатора в присутствии диэлектрической среды с проницаемостью 6×10?-12 C2N-1m-2 шириной 3 см при плотности поверхностного заряда 6 Кл/м2 и -5.8 Кл/м2?

Данный: σp=6 Кл/м2

σn=-5.8 Кл/м2

ε0= 6 x 10-12 C2N-1m-2

г=3 см=0.03 м

Электрическое поле конденсатора равно

Электрическое поле конденсатора равно 3.3 х 1010 В/м, поэтому разность потенциалов между обкладками конденсатора равна

В=Эд

= 3.3 х 1010 х 0.03

= 0.099 х 1010 V

= 0.1 х 1010 V

Разность потенциалов между двумя пластинами конденсатора составляет 0.1 х 1010 V.

Последовательный конденсатор электрического поля

При последовательном соединении конденсаторов разность потенциалов между обкладками складывается. Если у нас есть два конденсатора C1 и C2 соединены последовательно, а разность потенциалов на пластинах равна V1 и V2 соответственно, тогда чистая разность потенциалов становится

В=В1+V2

Емкость C= Q/V

Следовательно, V=Q/C

Используя это в приведенном выше уравнении, мы получаем

В=К/К1 + вопрос/ответ2

Решение этого дальше

Разность потенциалов также равна V=Ed

Следовательно, электрическое поле из-за последовательно соединенных конденсаторов можно рассчитать как

Е= В/д

Если есть n конденсаторов, соединенных последовательно, то электрическое поле на n конденсаторах будет равно

Электрическое поле в цилиндрическом конденсаторе

Цилиндрический конденсатор состоит из двух цилиндрических пластин. Внутренний цилиндр имеет положительную плотность поверхностного заряда +σ радиуса «r», а внешний цилиндр имеет отрицательную плотность поверхностного заряда –σ радиуса «R».

Электрическое поле в цилиндрическом конденсаторе

Электрический поток проходит от поверхности внутреннего цилиндра к внешнему цилиндру, как показано на рисунке выше. На рис. (б) показано поперечное сечение цилиндрического конденсатора. Пусть ds — поверхность Гаусса в середине двух заряженных цилиндров.

Электрическое поле внутри внутреннего цилиндра равно нулю, так как через эту область нет электрического потока, а также снаружи цилиндра радиуса R также равно нулю. Электрический поток течет между двумя цилиндрами на расстоянии s от центра.

Электрический поток через гауссову поверхность ds определяется выражением

Следовательно,

Это уравнение дает электрическое поле, создаваемое цилиндрическим конденсатором.

Чему равно электрическое поле в точке, удаленной на 0.6 см от центра цилиндрического конденсатора высотой 2 см, имеющего внешний радиус 0.8 см и внутренний радиус 0.35 см, несущего заряд 5 Кл?

Данный: г = 0.35 см = 0.0035 м

Р = 0.8 см = 0.08 м

S = 0.6 см = 0.06 м

ч = 2 см = 0.02 м

Q=5С

У нас есть,

= 74.62 х 1012 В / м

Электрическое поле конденсатора на расстоянии 0.6 см от центра цилиндрического конденсатора равно 74.62 х 1012 В / м.

Напряженность электрического поля в конденсаторе

Напряженность электрического поля вне области заряженного конденсатора всегда равна нулю, так как носители заряда присутствуют на поверхности конденсатора.

Во внутренней области конденсатора напряженность электрического поля равна отношению плотности поверхностных носителей заряда, а проницаемость среды в этой области одинакова во всех точках внутри конденсатора.

Где σ – поверхностная плотность заряда носителей заряда, присутствующих на пластине конденсатора, а

ε0 проницаемость среды

Кроме того, электрическое поле можно рассчитать, измерив разность потенциалов между двумя пластинами и найдя расстояние между пластинами как

Э=В/д

Где V — разность потенциалов между обкладками конденсатора и

d – расстояние между двумя пластинами

Электрическое поле в сферическом конденсаторе

Подобно цилиндрическому конденсатору, сферический конденсатор также состоит из двух сфер, имеющих противоположные носители заряда на поверхности каждой сферы.

Рассмотрим сферу радиуса ‘R2‘ с плотностью поверхностного заряда как +σ и другой сферой радиуса ‘R1‘ плотности поверхностного заряда –σ, покрывающего малую сферическую оболочку.

Схема сферического конденсатора

Электрический поток течет от сферы, состоящей из положительной поверхностной плотности заряда, к внешней сфере. Рассмотрим гауссову поверхность «ds» в середине двух сферических поверхностей на расстоянии «r» от центра сфер. Пусть заряд равен q на поверхности Гаусса. Применяя закон Гаусса

S — площадь поверхности, равная 4πr2, следовательно, мы получаем

Е х 4πr2 = д/е0

Электрическое поле в сферическом конденсаторе равно

E= q/4πε0r2

Разность потенциалов между двумя заряженными сферами равна

Мы нашли электрическое поле сферического конденсатора, поэтому подставим его в это уравнение.

Следовательно, емкость сферического конденсатора равна

C= кв/В

Подставив значение разности потенциалов, получим

Это уравнение дает емкость сферического конденсатора.

Часто задаваемые вопросы

Чему равно электрическое поле заряженного шара радиусом 3 см, несущего заряд 4 Кл?

Данный: г=3 см=0.03 м

Q=4С

Электрическое поле внутри сферы E=0.

Площадь поверхности шара равна

А = 4πr2

=4π х (0.03)2

= 0.01 м2

Следовательно, поверхностная плотность заряда шара равна

σ = Q/А

= 4С/0.01 м2

=400 Кл/м2

Поэтому электрическое поле заряженного шара равно

= 45.2 х 1012 В / м

Компания электрическое поле на поверхности и в точке вне сферы 45.2 х 1012 В / м.

Чему равно электрическое поле сферического конденсатора на расстоянии 4 см от центра, имеющего внутренний радиус 3 см и внешнюю сферу 5 см, несущую заряд 2 мКл?

Данный: R1=3 см=0.03 м

R2=5 см=0.05 м

г = 4 см = 0.04 м

q= 2 мКл

Электрическое поле на гауссовой поверхности на расстоянии 0.04 м от центра сферического конденсатора равно

= 11.23 х 106 В / м

Емкость сферического конденсатора равна

= 8.3 х 10-12F

Содержание книги

Предыдующая страница

§9. Электрическое поле и его свойства

9.13 Энергия электрического поля. Плотность энергии.

Img Slob-10-9-212.jpg

Вернемся к обсуждению вопроса об энергии взаимодействия электрических зарядов. Ранее мы показали, что потенциальная энергия электростатического взаимодействия двух точечных зарядов q1 и q2, находящихся на расстоянии r друг от друга (рис. 212), рассчитывается по формуле

(~U(r) = frac{1}{4 pi varepsilon_0} frac{q_1 q_2}{r}) . (1)

Придадим этой формуле несколько иной вид

(~U(r) = frac{1}{4 pi varepsilon_0} frac{q_1 q_2}{r} = q_1 frac{1}{4 pi varepsilon_0} frac{q_2}{r} = q_1 varphi_1) ,

здесь (~varphi_1 = frac{1}{4 pi varepsilon_0} frac{q_2}{r}) – потенциал поля, создаваемого вторым зарядом, в точке, где находится первый заряд. Аналогично можно записать

(~U(r) = frac{1}{4 pi varepsilon_0} frac{q_1 q_2}{r} = q_2 frac{1}{4 pi varepsilon_0} frac{q_1}{r} = q_2 varphi_2) ,

где (~varphi_2 = frac{1}{4 pi varepsilon_0} frac{q_1}{r}) – потенциал поля, создаваемого первым зарядом, в точке, где находится второй заряд. Теперь, перепишем выражение (1), в симметричной форме, легко допускающей обобщение

(~U(r) = frac{1}{2} (q_1 varphi_1 + q_2 varphi_2)) . (2)

В этой формуле мы выписали два равных слагаемых, каждое из которых можно трактовать как энергию взаимодействия одного из зарядов с другим, но мы подчеркивали, что энергия взаимодействия, не «принадлежит» ни одному из зарядов, поэтому нельзя учитывать эту энергию дважды – из-за этого и появляется в формуле множитель 1/2.

Если система состоит из нескольких зарядов q1, q2, …, qN , то полная энергия их взаимодействия есть сумма энергий взаимодействий всех пар зарядов. Используя симметричное выражение (2), суммирование по парам зарядов (двойную сумму), можно заменить на суммирование по самим зарядам, то есть записать

(~U = sum_{pairs} {frac{1}{4 pi varepsilon_0} frac{q_i q_k}{r_{ik}}} = frac{1}{2} (q_1 varphi_1 + q_2 varphi_2 + ldots + q_N varphi_N) = frac{1}{2} sum_{charges} {q_k varphi_k}) . (3)

В этой формуле φk – потенциал поля в точке, где находится заряд qk, причем поля, создаваемого всеми зарядами, кроме самого заряда qk (как говорят, исключая самовоздействие заряда на самого себя).

Использование понятия энергии взаимодействия требует чрезвычайной точности и внимательности. Произвол в выборе нулевого уровня энергии, с одной стороны, предоставляет определенную свободу, а, с другой, требует четкого понимания о какой именно энергии идет речь. Так, если в формуле (3) потенциалы отсчитываются относительно точек, бесконечно удаленных от зарядов, то эта формула определяет работу, которую совершит электрическое поле при удалении всех зарядов на бесконечно большие расстояния друг от друга. Если же требуется рассчитать работу поля при изменении положения зарядов, то выбор нулевого уровня не принципиален – эта работа не зависит от нулевого уровня потенциала.

Для того чтобы разобраться в некоторых нюансах применения формулы (3), рассмотрим примеры расчета энергии электростатического взаимодействия.

Три точечных заряда.

Img Slob-10-9-213.jpg

Пусть три одинаковых точечных заряда, величины которых равны между собой q1 = q2 = q3 = q, расположены в вершинах правильного треугольника со стороной a (рис.213). Для расчета энергии взаимодействия этих зарядов заметим, что все заряды равноправны, находятся в одинаковых условиях. В месте расположения одного из зарядов потенциал поля, создаваемого двумя другими зарядами равен

(~varphi_1 = varphi_2 = varphi_3 = 2 frac{q}{4 pi varepsilon_0 a}) .

В соответствии с формулой (3) энергия взаимодействия зарядов равна

(~U_0 = frac{1}{2} (q_1 varphi_1 + q_2 varphi_2 + q_3 varphi_3) = 3 frac{q^2}{4 pi varepsilon_0 a}) . (4)

Такую работу совершит электрическое поле, при удалении всех зарядов на бесконечное расстояние друг от друга.

Img Slob-10-9-214.jpg

Если заряды сместятся, так что окажутся в вершинах правильного треугольника со стороной a1 , то их энергия окажется равной

(~U_1 = 3 frac{q^2}{4 pi varepsilon_0 a_1}) .

При таком смещении работа электрического поля будет равна уменьшению энергии системы

(~A = U_0 – U_1 = 3 frac{q^2}{4 pi varepsilon_0} left ( frac{1}{a} – frac{1}{a_1} right)) .

Обратите внимание, при (~a_1 to infty) эта работа становится в точности равной начальной энергии U0.

Img Slob-10-9-215.jpg

Если из первоначальной системы мы удалим один заряд при неподвижных оставшихся (рис. 215), то энергия системы станет равной

(~U_1 = frac{q^2}{4 pi varepsilon_0 a}) .

При этом поле совершит работу

(~A = U_0 – U_1 = 3 frac{q^2}{4 pi varepsilon_0 a} – frac{q^2}{4 pi varepsilon_0 a} = 2 frac{q^2}{4 pi varepsilon_0 a}) .

Если теперь удалить еще один заряд, то энергия системы станет равной нулю, при этом поле совершит работу A2 = U1. В итоге начальная энергия полностью расходуется на совершение полной работы U0 = A1 + A2 .

Задание для самостоятельной работы.

  1. Проанализируйте изменение энергии и совершенные работы в рассмотренной системе, если один из зарядов отрицательный.

Энергия взаимодействия двух равномерно заряженных параллельных пластин.

Img Slob-10-9-216.jpg

Найдем энергию взаимодействия двух равных по модулю зарядов противоположного знака, равномерно распределенными по двум параллельным пластинам. Обозначим поверхностную плотность заряда на одной пластине +σ, а на другой –σ. Расстояние между пластинами h будем считать значительно меньшим размеров пластин, площадь каждой пластины обозначим S. Краевыми эффектами пренебрежем.

Для расчета энергии взаимодействия воспользуемся формулой U = qφ’, где φ’ – потенциал поля создаваемого всеми зарядами, кроме заряда q.

Img Slob-10-9-217.jpg

Напряженность поля между пластинами была вычислена нами ранее, она равна

(~E = frac{sigma}{varepsilon_0}) . (5)

Для «упрощения» расчетов положим потенциал отрицательно заряженной пластины равным нулю, тогда потенциал другой пластины будет равен

(~varphi = -vec E cdot Delta vec r = Eh = frac{sigma h}{varepsilon_0}) . (6)

Здесь (~Delta vec r) – вектор перемещения от отрицательной пластины к положительной. Данная формула определяет потенциал поля, создаваемого зарядами на обеих пластинах.

Теперь необходимо найти потенциал поля φ’, создаваемого только одной пластиной. Напряженность поля E’, создаваемого одной пластиной в два раза меньше напряженности поля между пластинами (~E’ = frac{E}{2} = frac{sigma}{2 varepsilon_0}) , поэтому искомый потенциал будет равен (~varphi’ = E’h = frac{sigma h}{2 varepsilon_0}) . Таким образом, энергия взаимодействия зарядов оказывается равной

(~U = q varphi’ = (sigma S) frac{sigma h}{2 varepsilon_0} = frac{sigma^2}{2 varepsilon_0} Sh) , (7)

здесь σS – заряд положительно заряженной пластины.

Не смотря на то, что противоположно заряженные пластины притягиваются, их энергия оказалась положительной – в этом нет ничего удивительного: мы положили потенциал одной из пластин равным нулю. Это значит, что нулевой энергии соответствует положение, когда положительно заряженная пластина совпадает с отрицательно заряженной, то есть когда пластины совпадают, а электрическое поле отсутствует. Если пластины находятся на некотором расстоянии h друг от друга, то при их сближении поле совершит положительную работу. Наоборот, чтобы разнести пластины, внешние силы должны совершить работу, увеличивая энергию системы.

Img Slob-10-9-218.jpg

Энергию рассматриваемой системы можно найти, рассчитывая работу внешних сил, по разнесению пластин. На одну из пластин со стороны другой действует сила электрического притяжения (~F = q E’ = (sigma S) frac{sigma}{2 varepsilon_0} = frac{sigma^2}{2 varepsilon_0} S) , причем эта сила не зависит от расстояния между пластинами. Для того, чтобы раздвинуть пластины на расстояние h, необходимо приложить внешнюю силу, равную по модулю силе электрического притяжения (рис. 218). При этом эта сила совершит работу (равную увеличению энергии системы)

(~A = U = Fh = frac{sigma^2}{2 varepsilon_0} Sh) . (7′)

Таким образом, мы получаем ту же формулу для энергии систему зарядов. Используя соотношение между напряженностью поля между пластинами и поверхностной плотностью заряда σ = ε0E, выразим энергию взаимодействия через напряженность поля

(~U = frac{varepsilon_0^2 E}{2} Sh) . (8)

В процессе разнесения пластин создается электрическое поле во все большем объеме между пластинами, поэтому можно утверждать, что совершенная работа увеличивает энергию электрического поля, или работа расходуется на создание поля. Так при смещении пластины на расстояние Δz, объем занятый полем увеличивается на SΔz, если расстояние между пластинами увеличилось от нуля до некоторого значения h, то поле создается в объеме Sh. Таким образом, найденная энергия взаимодействия зарядов (7) есть энергия электрического поля – энергия «размазанная» по той области пространства, где создано поле. Косвенным подтверждением сделанного заключения, является тот факт, что энергия взаимодействия пропорциональна объему части пространства V = Sh, занятого полем и выражается через характеристику поля (его напряженность) – в формуле (8) нет характеристик зарядов. Электрическое поле, уже благодаря своему существованию обладает энергией. В качестве энергетической характеристики поля следует рассматривать энергию, содержащуюся в единице объема, то есть объемную плотность энергии[~w = frac{W}{V}] . Из выражения (8) следует, что объемная плотность энергии электрического поля определяется формулой

(~w = frac{varepsilon_0 E^2}{2}) . (9)

Как обычно, в неоднородном поле корректное определение плотности энергии «в данной точке» требует предельного перехода: плотностью энергии электрического поля называется отношение энергии поля, заключенной в малом объеме к величине этого объема, при стремлении последнего к нулю

(~w = frac{Delta U}{Delta V}) , при ΔV → 0 .

Энергия поля равномерно заряженной сферы.

Img Slob-10-9-219.jpg

Пусть электрический заряд Q равномерно распределен по поверхности сферы радиуса R. Вне сферы электрическое поле, создаваемое зарядами на сфере, эквивалентно полю точечного заряда, помещенного в центре сфере (рис. 219). Внутри сферы поле отсутствует. Так напряженность поля в точке, находящейся на расстоянии r от центра сферы равна

(~E(r) = frac{Q}{4 pi varepsilon_0 r^2}) , (10)

в частности непосредственно у поверхности сферы напряженность поля равна

(~E_0 = frac{Q}{4 pi varepsilon_0 R^2}) . (11)

Обратим внимание, что произведение (~S = 4 pi R^2) есть площадь сферы, поэтому отношение (~frac{Q}{4 pi varepsilon_0} = sigma) является поверхностной плотностью заряда на сфере, поэтому напряженность поля у поверхности сферы выражается той же формулой, что и напряженность поля между пластинами, рассмотренными в предыдущем разделе (~E_0 = frac{sigma}{varepsilon_0}). Потенциал поверхности сферы также был вычислен нами ранее

(~varphi_0 = frac{Q}{4 pi varepsilon_0 R}) . (12)

Img Slob-10-9-220.jpg

Рассчитаем теперь энергию поля, создаваемого зарядами на сфере. Мысленно разделим заряд сферы на N равных малых частей (рис.220), величины которых равны (~delta Q_k = frac{Q}{N}) (k = 1,2…N). Рассмотрим один из этих малых зарядов. В точке его расположения потенциал поля, создаваемого всеми остальными (N-1) зарядами равен (~varphi_k = frac{(N-1) delta Q}{4 pi varepsilon_0 R}). С использованием симметричной формулы (~U = frac{1}{2} sum_{k} {q_k varphi_k}) , выражение для энергии взаимодействия приобретает вид

(~U = frac{1}{2} sum_{k} {q_k varphi_k} = frac{1}{2} sum_{k=1}^{N} {delta Q_k frac{(N-1) delta Q}{4 pi varepsilon_0 R}}) ,

данная сумма содержит N одинаковых слагаемых, поэтому равна

(~U = frac{1}{2} sum_{k=1}^{N} {delta Q_k frac{(N-1) delta Q}{4 pi varepsilon_0 R}} = frac{1}{2} N delta Q frac{(N-1) delta Q}{4 pi varepsilon_0 R} = frac{1}{2} N (N-1) frac{(delta Q)^2}{4 pi varepsilon_0 R} = frac{Q^2}{8 pi varepsilon_0 R} left ( 1 – frac{1}{N} right)) . (13)

Так как число частей N, на которые разбивается сфера, может быть сделано сколь угодно большим, поэтому в пределе (~N to infty) слагаемое (~frac{1}{N}) исчезает, поэтому окончательное выражение для энергии взаимодействия зарядов сферы имеет вид

(~U = frac{Q^2}{8 pi varepsilon_0 R}) . (14)

Заметим, что полученное выражение имеет вид (~U = frac{1}{2} Q varphi_0). Если сразу заявить, что уменьшение заряда на малую величину (~delta Q) пренебрежимо мало изменяет потенциал сферы, то результат (4) получается прямым применением формулы для энергии взаимодействия зарядов. Однако обращение с малыми величинами требует известной строгости, поэтому мы и привели несколько «удлиненный» вывод.

Приведем еще один вывод этой же формулы. Для этого энергию системы рассчитаем как работу, которую необходимо совершить, чтобы зарядить сферу. Мысленно будем заряжать сферу малыми равными порциями заряда (~delta Q_k = frac{Q}{N}) (k = 1,2…N), которые будем переносить на сферу из «бесконечности». Если сфера не заряжена, то перенесение первой «порции» заряда не требует совершения никакой работы. После того как сфера приобрела некоторый электрический заряд, перенесение следующей порции заряда требует совершения работы по преодолению сил отталкивания со стороны зарядов сферы. Если на сферу перенесено (k-1) порций заряда, то ее потенциал равен (~varphi_{(k-1)} = frac{(k-1) delta Q}{4 pi varepsilon_0 R}) . Поэтому для того, что бы перенести на сферу следующую порцию заряда необходимо совершить работу

(~A_k = delta Q varphi_{(k-1)} = (k-1) frac{(delta Q)^2}{4 pi varepsilon_0 R}) .

Заметьте, что для перенесения каждой следующей порции заряда надо совершать большую работу.

Полная работа по зарядке сферы (равная энергии электрического поля сферы) выражается суммой геометрической прогрессии

(~U = A = frac{1}{2} sum_{k=1}^{N} {A} = frac{(delta Q)^2}{4 pi varepsilon_0 R} sum_{k=1}^{N} {(k-1)} = frac{(delta Q)^2}{4 pi varepsilon_0 R} frac{N (N-1)}{2} = frac{Q^2}{8 pi varepsilon_0 R} left ( 1 – frac{1}{N} right)) . (15)

Как и следовало ожидать, мы получили выражение, полностью совпадающее с (13), при бесконечном уменьшении порций переносимых зарядов ((~N to infty)) мы опять приходим к формуле (14).

В этом нет ничего удивительного, так как в первом случае мы подсчитали энергию, которая выделится при разбегании зарядов со сферы, а во втором – энергию, которую необходимо затратить, чтобы собрать их обратно.

Img Slob-10-9-221.jpg

Покажем, что энергию взаимодействия зарядов и в этом случае можно истолковать как энергию электрического поля, «размазанную» по всему пространству, где существует поле. Представим, что радиус сферы увеличился на малую величину ΔR, а ее заряд при этом не изменился. Согласно формуле (14) энергия взаимодействия зарядов при этом уменьшится. В пространстве вне сферы увеличенного радиуса электрическое поле не изменилось, а в тонком сферическом слое между начальной и расширенной сферами – исчезло (рис. 221). Поэтому следует считать, что уменьшение энергии взаимодействия зарядов при увеличении радиуса сферы равно энергии, которая заключена в этом тонком сферическом слое. При малой толщине слоя его объем можно вычислить как произведение площади сферы на толщину слоя (~Delta V = 4 pi R^2 Delta R) . Пренебрегая изменением напряженности поля в пределах тонкого слоя, энергию, заключенную в нем запишем в виде

(~Delta U = w Delta V = 4 pi R^2 Delta R w) , (16)

где w – плотность энергии поля. С другой стороны эта энергия равна изменению энергии взаимодействия зарядов при увеличении радиуса сферы

(~Delta U = frac{Q^2}{8 pi varepsilon_0 R} – frac{Q^2}{8 pi varepsilon_0 (R + Delta R)} = frac{Q^2}{8 pi varepsilon_0} frac{Delta R}{R (R + Delta R)} approx frac{Q^2}{8 pi varepsilon_0} frac{Delta R}{R^2}) .

На последнем шаге, мы пренебрегли малым изменением радиуса ΔR. Наконец, выразим заряд шара через напряженность электрического поля у его поверхности (~Q = 4 pi varepsilon_0 R^2 E) :

(~Delta U = frac{Q^2}{8 pi varepsilon_0} frac{Delta R}{R^2} = frac{varepsilon_0 E^2}{2} 4 pi R^2 Delta R) .

Из сравнения с формулой (16) следует, что и в рассматриваемом случае плотность энергии электрического поля выражается формулой (~w = frac{varepsilon_0 E^2}{2}).

Следующая страница

Добавить комментарий