Министерство
образования РФ
Уфимский
Государственный Авиационный Технический
Университет
Нефтекамский
филиал
кафедра
физики
Выполнил:
Студент группы СПН 201д
_____________Хуснуллин
Р.С.
«__»______________2005г.
Проверила:
Преподаватель УГАТУ
___________Зайнуллина
Э.А
«__»______________2005г.
Нефтекамск
2005
ФОТОЭФФЕКТ
Цель работы: 1) снятие
вольт-амперной характеристики (ВАХ)
вакуумного
фотоэлемента;
2) Определение работы выхода электронов и красной границы фотоэффекта.
С
хема
экспериментальной установки
ФЭ
– вакуумный фотоэлемент: k
– катод; а – анод;
Л
– источник света; СФ – светофильтр;
ИП – источник питания;
П
– переключатель; А – микроамперметр;
V – вольтметр
Описание
установки и методики измерений
Для
исследования явления внешнего фотоэффекта
в данной установке используется вакуумный
фотоэлемент ФЭ. Фотоэлемент
представляет собой откачанный стеклянный
баллон, одна половина которого покрыта
тонким слоем светочувствительного
вещества k, служащего
катодом. В центре баллона располагается
анод а, выполненный в виде кольца
или шарика. Корпус фотоэлемента снабжен
специальным карманом, в который помещается
светофильтр СФ. Расходящийся пучок
света от источника (лампы Л, помещенной
в специальный кожух с отверстием и
закрепленной на штативе) проходит через
светофильтр, благодаря которому на
катод падает практически монохроматическое
излучение длиной волны .
Значение
определяется цветом выбранного
светофильтра. Величину светового потока
, падающего на катод,
можно регулировать, изменяя расстояние
L между источником
света и фотоэлементом.
Источник
питания ИП предназначен для подачи
постоянного напряжения U
между катодом и анодом; величина U
может быть измерена вольтметром V.
При замыкании переключателя П в
положение 1 на катод подается
отрицательный потенциал, а на анод –
положительный. В этом случае выбитые
светом электроны (фотоэлектроны)
устремляются к аноду, и по цепи течет
ток (фототок) I,
для измерения которого служит
микроамперметр А. Зависимость
фототока I от напряжения
U называется
вольт-амперной характеристикой (ВАХ)
фотоэлемента. Проанализируем вид этой
зависимости исходя из теории явления
фотоэффекта.
Согласно
современным квантовым представлениям,
монохроматическую электромагнитную
(световую) волну можно рассматривать
как поток особых частиц – фотонов,
энергия каждого из которых ф
зависит от частоты
(или от длины волны )
излучения:
(1)
где
h – постоянная Планка;
с – скорость света в вакууме.
Внутри
металла, из которого изготовлен катод
k фотоэлемента, имеется
большое количество свободных электронов.
При падении света на катод определенная
часть фотонов взаимодействует с этими
электронами, отдавая им свою энергию.
Получив дополнительную энергию ф ,
электрон может совершить работу выхода
Ав и покинуть катод. Величина
работы выхода постоянна для данного
металла, поэтому фотоэффект (выбивание
электрона) возможен только при выполнении
условия ф
> Aв .
С учетом (1) это условие принимает вид
и
позволяет найти максимальную длину
волны кр ,
при которой еще возможен фотоэффект:
(2)
(значение
кр
называют красной границей фотоэффекта).
Итак,
при выполнении сформулированного выше
условия электрон может покинуть металл.
Разница между энергией фотона и энергией,
затраченной на выход, сохраняется в
виде кинетической энергии Wk .
Максимальной кинетической энергией
обладают те электроны, взаимодействие
которых с фотонами произошло непосредственно
у поверхности металла. Превращение
энергии при фотоэффекте описывается
известным уравнением
Эйнштейна
(3)
Множество
покинувших катод электронов движутся
во всевозможных направлениях, и некоторые
из них попадают на анод. Поэтому даже
при отсутствии напряжения между катодом
и анодом (U = 0)
в цепи течет малый по величине фототок
I 0
(см. рис. 40, на котором показан примерный
вид ВАХ
фотоэлемента). Уменьшить этот фототок
можно путем подачи обратного напряжения
(“– ” на анод, “ + ”
на катод), что осуществляется замыка-нием
переключателя П
в поло-жение 2
(см. схему установки). Фототок будет
полностью прекращен, если приложенное
таким образом электрическое поле будет
тормозить (“заго-нять” обратно в катод)
самые быстрые электроны. Соответ-ствующее
значение задержи-вающего
(запирающего)
напряжения Uз
можно найти из условия, что работа сил
электрического поля при этом полностью
затрачивается на “погашение” максимальной
кинетической энергии электронов:
(4)
где
e
– элементарный электрический заряд.
С
учетом (4) и (1) уравнение (3) принимает вид
откуда
можно найти работу выхода электронов
из металла Ав
по известным значениям длины волны
излучения
и задерживающего напряжения Uз :
(5)
Длина
волны излучения ,
как уже отмечалось, определяется цветом
используемого светофильтра СФ.
Для измерения задерживающего напряжения
Uз
необходимо замкнуть переключатель П
в положение 2
и увеличивать подаваемое обратное
напряжение до тех пор, пока показания
микроамперметра А
не обратятся в нуль; соответствующее
показание вольтметра V
и будет представлять собой величину Uз
.
Продолжим
анализ характера зависимости I(U).
Подача напряжения в прямом направлении
(“ + ”
на анод, “ – ” на катод) путем установки
переключателя П
в положение 1
заставляет фотоэлектроны двигаться к
аноду. Увеличение напряжения вовлекает
в этот процесс все больше выбитых
электронов, вследствие чего ток I
возрастает (см. рис. 40). При некотором
значении U = Uн
все фотоэлектроны попадают на анод, и
дальнейшее повышение напряжения не
приводит к увеличению фототока (наступает
насыщение
ВАХ). Величина
фототока насыщения Iн
прямо пропорциональна общему числу
выбитых электронов, а следовательно,
количеству падающих на катод
фотонов.количество фотонов, в свою
очередь, определяется величиной светового
потока .
Таким образом, квантовая теория объясняет
один из экспериментально открытых
А.Г.Столетовым
законов
фотоэффекта: фототок насыщения прямо
пропорционален освещенности катода.
Для проверки справедливости этого
закона в данной работе предусмотрено
снятие ВАХ
при двух значениях светового потока
и
(уменьшение освещенности катода
осуществляется путем увеличения
расстояния L
между источником света и фотоэлементом).
Порядок
измерений и обработки результатов
Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]
- #
- #
- #
- #
- #
- #
- #
- #
- #
- #
- #
Ниже размещены условия задач и отсканированные решения. Если вам нужно решить задачу на эту тему, вы можете найти здесь похожее условие и решить свою по аналогии. Загрузка страницы может занять некоторое время в связи с большим количеством рисунков. Если Вам понадобится решение задач или онлайн помощь по физике- обращайтесь, будем рады помочь.
Явление фотоэффекта заключается в испускании веществом электронов под действием падающего света. Теория фотоэффекта разработана Эйнштейном и заключается в том, что поток света представляет собой поток отдельных квантов(фотонов) с энергией каждого фотона hn. При попадании фотонов на поверхность вещества часть из них передает свою энергию электронов. Если этой энергия больше работы выхода из вещества, электрон покидает металл. Уравнение эйнштейна для фотоэффекта: 
где 
— максимальная кинетическая энергия фотоэлектрона.
Длина волны красной границы фотоэффекта для некоторого металла составляет 307 нм. Максимальная кинетическая энергия фотоэлектронов – 1 эВ. Найти отношение работы выхода электрона к энергии падающего фотона.
Частота света красной границы фотоэффекта для некоторого металла составляет 6*1014 Гц, задерживающая разность потенциалов для фотоэлектронов – 2В. Определить частоту падающего света и работу выхода электронов.
Работа выхода электрона из металла составляет 4,28эВ. Найти граничную длину волны фотоэффекта.
На медный шарик радает монохроматический свет с длиной волны 0,165 мкм. До какого потенциала зарядится шарик, если работа выхода электрона для меди 4,5 эВ?
Работа выхода электрона из калия составляет 2,2эВ, для серебра 4,7эВ. Найти граничные длину волны фотоэффекта.
Длина волны радающего света 0,165 мкм, задерживающая разность потенциалов для фотоэлектронов 3В. Какова работа выхода электронов?
Красная граница фотоэффекта для цинка 310 нм. Определить максимальную кинетическую энергию фотоэлектронов, если на цинк падает свет с длиной волны 200нм.
На металл с работой выхода 2,4эВ падает свет с длиной волны 200нм. Определить задерживающую разность потенциалов.
На металл падает свет с длиной волны 0,25 мкм, задерживающая разность потенциалов при этом 0,96В. Определить работу выхода электронов из металла.
При изменении длины волны падающего света максимальные скорости фотоэлектронов изменились в 3/4 раза. Первоначальная длина волны 600нм, красная граница фотоэффекта 700нм. Определить длину волны после изменения.
Работы выхода электронов для двух металлов отличаются в 2 раза, задерживающие разности потенциалов – на 3В. Определить работы выхода.
Максимальная скорость фотоэлектронов равно 2,8*108 м/с. Определить энергию фотона.
Энергии падающих на металл фотонов равны 1,27 МэВ. Найти максимальную скорость фотоэлектронов.
Максимальная скорость фотоэлектронов равно 0,98с, где с – скорость света в вакууме. Найти длину волны падающего света.
Энергия фотона в пучке света, падающего на поверхность металла, равно 1,53 МэВ. Определить максимальную скорость фотоэлектронов.
На шарик из металла падает свет с длиной волны 0,4 мкм, при этом шапик заряжается до потенциала 2В. До какого потенциала зарядится шарик, если длина волны станет равной 0,3 мкм?
После изменения длины волны падающего света в 1,5 раза задерживающая разность потенциалов изменилась с 1,6В до 3В. Какова работа выхода?
Красная граница фотоэффекта 560нм, частота падающего света 7,3*1014 Гц. Найти максимальную скорость фотоэлектронов.
Красная граница фотоэффекта 2800 ангстрем, длина волны падающего света 1600 ангстрем. Найти работу выхода и максимальную кинетическую энергию фотоэлектрона.
Задерживащая разность потенциалов 1,5В, работа выхода электронов 6,4*10-19 Дж. Найти длину волны падающего света и красную границу фотоэффекта.
Работа выхода электронов из металла равна 3,3 эВ. Во сколько раз изменилась кинетическая энергия фотоэлектронов. если длина волны падающего света изменилась с 2,5*10-7м до 1,25*10-7м?
Найти максимальную скорость фотоэлектронов для видимого света с энергией фотона 8 эВ и гамма излучения с энергией 0,51 МэВ. Работа выхода электронов из металла 4,7 эВ.
Фототок прекращается при задерживающей разности потенциалов 3,7 В. Работа выхода электронов равна 6,3 эВ. Какая работа выхода электронов у другого металла, если там фототок прекращается при разности потенциалов, большей на 2,3В.
Работа выхода электронов из металла 4,5 эВ, энергия падающих фотонов 4,9 эВ. Чему равен максимальный импульс фотоэлектронов?
Красная граница фотоэффекта 2900 ангстрем, максимальная скорость фотоэлектронов 108 м/с. Найти отношение работы выхода электронов к энергии палающих фотонов.
Длина волны падающего света 400нм, красная граница фотоэффекта равна 400нм. Чему равна максимальная скорость фотоэлектронов?
Длина волны падающего света 300нм, работа выхода электронов 3,74 эВ. Напряженность задерживающего электростатического поля 10 В/см.Какой максимальный путь фотоэлектронов при движении в направлении задерживающего поля?
Длина волны падающего света 100 нм, работа выхода электронов 5,30эВ. Найти максимальную скорость фотоэлектронов.
При длине волны радающего света 491нм задерживающая разность потенциалов 0,71В. Какова работа выхода электронов? Какой стала длина волны света, если задерживающая разность потенциалов стала равной 1,43В?
Кинетическая энергия фотоэлектронов 2,0 эВ, красная граница фотоэффекта 3,0*1014 Гц. Определить энергию фотонов.
Красная граница фотоэффекта 0,257 мкм, задерживающая разность потенциалов 1,5В. Найти длину волны падающего света.
Красная граница фотоэффекта 2850 ангстрем. Минимальное значение энергии фотона, при котором возможен фотоэффект?
Ниже вы можете посмотреть обучаюший видеоролик на тему фотоэффекта и его законов.
поделиться знаниями или
запомнить страничку
- Все категории
-
экономические
43,653 -
гуманитарные
33,653 -
юридические
17,917 -
школьный раздел
611,904 -
разное
16,900
Популярное на сайте:
Как быстро выучить стихотворение наизусть? Запоминание стихов является стандартным заданием во многих школах.
Как научится читать по диагонали? Скорость чтения зависит от скорости восприятия каждого отдельного слова в тексте.
Как быстро и эффективно исправить почерк? Люди часто предполагают, что каллиграфия и почерк являются синонимами, но это не так.
Как научится говорить грамотно и правильно? Общение на хорошем, уверенном и естественном русском языке является достижимой целью.
Квантовым выходом фотоэффекта называется отношение количества вылетевших электронов к количеству поглощенных фотонов. Для его увеличения используют специальные составы материалов катодов (соединения щелочных металлов с сурьмой или висмутом, полупроводники). [c.228]
Квантовым выходом фотоэффекта называется отношение количества вылетевших электронов к количеству поглощенных фотонов. Для его увеличения используют специальные составы материа- [c.250]
Квантовый выход фотоэффекта 250 Кинематика 216 [c.512]
Если энергия фотона меньше значения, соответствующего красной границе фотоэффекта соо, квантовый выход V равен нулю (эфс ект не наблюдается). Когда энергия фотона становится больше указанного значения, возникает фотоэффект при этом квантовый выход быстро возрастает по мере увеличения tm. При некотором значении энергии фотона fib) величина F проходит через максимум и начинает за- [c.161]
Чем определяется вероятность внешнего фотоэффекта Все приведенные выше замечания носят сугубо качественный характер. Они объясняют в общих чертах закономерности фотоэлектронной эмиссии, но, разумеется, не позволяют оценить вероятность процесса, его квантовый выход. Для этого пришлось бы обратиться к квантовой электродинамике и квантовой теории твердого тела и рассмотреть весьма сложную задачу, требующую учета многих факторов. [c.168]
Квантовый выход внутреннего фотоэффекта. Предположим теперь, что полупроводник освещается монохроматическим светом, частота которого выше пороговой частоты для внутреннего фотоэффекта. Последняя определяется шириной запрещенной зоны в собственных полупроводниках и энергией ионизации донорных или акцепторных примесей в примесных полупроводниках. При поглощении фотонов электронами валентной зоны или примесных уровней будут происходить соответствующие квантовые переходы, приводящие к образованию дополнительных (неравновесных) носителей заряда, которые и обусловливают фотопроводимость. [c.176]
Некоторые полупроводники характеризуются очень высоким квантовым выходом (в ряде случаев до 30%), и к тому же энергия фотона, которая требуется для выбивания электрона, часто значительно меньше той, которая требуется в случае металлических поверхностей. Полупроводники дают возможность сдвинуть красную границу чувствительности поверхности в видимую, а в ряде случаев и в ближнюю инфракрасную область. Полупроводники почти повсеместно применяются в приборах с внешним, а также с внутренним фотоэффектом (фотосопротивления). Обозначения ряда фотокатодов поверхностей были стандартизованы [c.119]
Чго называется квантовым выходом внутреннего фотоэффекта [c.231]
Квантовый выход фотоэффекта 228 Керамические материалы 309 Кероген 14 [c.447]
Даже при отсутствии потерь на согласование и квантовом выходе фотоэффекта 1, для энергии кванта в 1 эВ эта величина соответствует энергии регистрируемого светового имлульса около 10 Дж/см (при глубине модуляции, близкой к 100 7о)- Тогда при временах накопления в МДП структуре … 10 с, [c.183]
V и УФ-чувствительные ПВМС. Основные ограничения на чувствительность ПВ. 1С в УФ-области спектра накладываются возрастанием поглощения света в слоях структуры в подложке, в прозрачном электроде. Большой коэффициент поглощения j и УФ-излучсния приводит к поглощению этого излучения в приповерхностной области полупроводников, характеризуемой высокой скоростью рекомбинации носителей. Это снижает фоточув-ствительность полупроводников в этой области спектра. Кроме того, снижается квантовый выход фотоэффекта из-за появления. новых каналов возбуждения — прежде всего, возб ждения внутренних атомных оболочек. [c.185]
Огромное разнообразие задач, решаемых с помощью фотоэлементов, вызвало к жизни чрезвычайно большое разнообразие типов фотоэлементов с различными техническими характеристиками. Выбор оптимального типа фотоэлементов для решения каждой конкретной задачи основывается на знании этих характеристик. Для фотоэлементов с внешним фотоэффектом (вакуумных фотоэле-.. ментов) необходимо знание следующих характеристик рабочая область спектра относительная характеристика спектральной чувствительности (она строится как зависимость от длины волны падающего света безразмерной величины отношения спектральной чувствительности при монохроматическом освещении к чувствительности в максимуме этой характеристики) интегральная чувствительность (она определяется при освещении фотоэлемента стандартным источником света) величина квантового выхода (процентное отношение числа эмиттированных фотоэлектронов к числу падающих на фотокатод фотонов) инерционность (для вакуумных фотоэлементов она определяется обычно через время пролета электронов от фотокатода к аноду). Важным параметром служит также темновой ток фотоэлемента, который складывается из термоэмиссии фотокатода при комнатной температуре и тока утечки. [c.650]
Важной характеристикой полупроводникового материала является квантовый выход внутреннего фотоэффекта — число оптически генерируемых носителей заряда, приходящееся на один поглощенный фотон. Обозначим это число т). Различают квантовый выход для электронов проводимости (г] ) и дырок (т) ,). В беспримесном полупроводнике Tins ll/.- [c.176]
Квантовый выход Ф. э. из металлов в видимой и ближней УФ-областях электрон/фотон. Это свйзано прежде всего,с малой глубиной выхода фотоэлектронов, к-рая значительно меньше глубины поглощения света в металле. Большинство фотоэлектронов рассеивает свою энергию до подхода к поверхности и теряет возможность выйти в вакуум. При энергии фотонов вблизи порога фотоэффекта большинство фотоэлектронов возбуждается янже уровня вакуума и не даёт вклада в фотоэмисснонный ток. Кроме того, коэф. отражения в видимой и ближней УФ-областях велик и лишь малая часть излучения поглощается в металле. Эти ограничения частично снимаются в дальней УФ-области спектра, где У достигает величины 10 электрон/фотон при v lOaB рис. 1). Случайные загрязнения могут снизить Ф и сдвинуть порог Ф. э. в сторону более длинных волн. При этом У в дальней УФ-области спектра может возрасти. [c.365]
Из кривой рис. 24 видно, что с ростом температуры интенсивность вспышки резко возрастает, достигая максимального значения при —140°С, после чего интенсивность медленно падает, по-видимому, вследствие уменьшения концентрации / -центров. Небольшой подъем кривой при -50°С обусловлен термическим высвобождением электронов с более мелких уровней по сравнению с уровнями / -центров. По форме левая часть кривой рис. 24 почти идентична кривой зависимости фототока в Na l от температуры при его освещении светом в / -полосе поглощения [2, 14]. При понижении температуры кристалла около —150°С наблюдается очень крутой спад фототока, возникновение которого при низких температурах обусловлено зависимостью величины квантового выхода внутреннего фотоэффекта от температуры. Подобная зависимость определяется тем, что под действием света электрон переходит сначала преимущественно на возбужденный уровень 2р, с которого он может попасть в зону проводимости лишь под действием тепловых колебаний решетки. Совершенно ясно, что вероятность его освобождения с уровня 2р должна уменьшаться с понижением температуры кристалла, [c.65]
Основной количественной характеристикой внешнего фотоэффекта является так называемый квантовый выход, т. о. отношение числа фотоэлектронов вырываемых с единицы поверхности, к числу фотонов Л г, падающих на эту поверхность. Для большинства металлов у красной границы для фотоэффекта (йш Ф) квантовый выход N, N4 Ю . Тот факт, что у красной границы квантовый выход гораздо меньше единицы, вполне понятен — лишь те электроны, которые находятся неиосредст-вепно па поверхности, могут быть вырваны те электроны, которые находятся в глубине, в поверхностном слое, где поглощается излучение, испытывают соударения с другими электронами, прежде чем достигнут поверхности их энергия растрачивается в этих соударениях. При увеличении энергии фотонов (увеличении частоты излучеиия) ток эмиссии в вакуум увеличивается [c.231]
В п. 7.3.6 мы упоминали о важной модификации звездного интерферометра Майкельсона, предложенной Брауном и Твиссом. В разработанной ими системе свет от звезды фокусируют иа два фотоэлектрических детектора Р1 и Р , и информация о звезде получается путем изучения корреляции флуктуаций их выходных токов. Полный анализ характеристик такой системы должен учитывать квантовую природу фотоэффекта ) он требует также определенных знаний по электронике и поэтому выходит за рамки настоящей книги. Однако нетрудно понять принцип метода. При идеальных условиях эксперимента (отсутствие шума) ток на выходе каждого фотоэлектрического детектора пропорционален мгновенной интенсивнос-1-и 1 (/) падающего света, а флуктуация этого тока пропорциональна А/(/) = I ()—. Следовательно, в интерферометре Брауна и Твисса измеряется величина, пропорциональная 01. = <Д/1Д/а>. Простой статистический расчет показывает 1591 (см. также [60]), что Q,2 пропорционально квадрату степени когерентности и, значит, величина Q,2, так же как и дает иифор.мацию о размере звезды. [c.470]
ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСТВО. Фотоэлектрические явления возникают при поглощении телом лучистой энергии кванты (см.) света срывают с атомов тела электроны, к-рые затем м. б. обнаружены в фотоэлектрическом токе. Смотря по тому, где происходит срывание электронов, различают фотоэффект поверхностный (внешний) и объемный (внутренний). Фотоэффект был открыт в конце 19 в., когда Герц (1887) и Галльвакс (1888) нашли, что металлы под действием ультрафиолетового света теряют отрицательный заряд. Впоследствии фотоэффект был обнаружен во всех веществах для области спектра от инфракрасной до рентгеновской были установлены его характерные свойства, его безинерционность и независимость от t°. Фотоэлектрические явления, возникающие при взаимодействии квантов и электронов, могли получить свое истолкование только после развития теории квантов основные закономерности фотоэффекта вытекают из квантовой теории света и являются прямым пе подтверждением. В основе их лежат два положения Эйнштейна. 1) Каждый квант срывает один электрон. Экспериментальная проверка этого положения встречает затруднения, так как не все сорванные светом электроны проявляют себя в фотоэлектрич. токе. Фактически промеренное их число, приходящееся на один квант поглощенной энергии, называют квантовым выходом. Квантовый выход во внешнем фотоэффекте весьма мал (порядка 0,01), во внутреннем—он близок к единице. 2) При столкновении с электроном квант отдает ему свою энергию hv она тратится в общем случае на то, чтобы а) освободить электрон из атома и выбросить его через поверхностный слой в другую среду (работа выхода РУ, б) сообщить электрону кинетическую [c.142]
Внешний фотоэффект в металлах объясняется з квантовой оптике (V.S.l.l”). Для выхода из металла электрон должен совершить работу выхода А (111.3.7.3°). В результате поглощения фотона металлом энергия фотона hv может быть целиком передана электрону ). Если hv A, то электрон сможет совершить работу выхода и покинуть металл. Наибольшая кинетическая энергия mvlz j2 вылетевшего фотоэлектрона по закону сохранения энергии находится из уравнения Эйнштейна для внешнего фотоэффекпш [c.412]
Фотоэлектрические П. о. и. непосредственно преобразуют эл.-магн. энергию в электрическую. Их разделяют на П, о, и, с внеш. и внутр. фотоэффектом. К ним относятся фотоэлементы, фотоэлектронные умножители, фоторезисторы, фотодиоды, электронно-оптические преобразователи, П. о. и, с фотоэлектро-магн. эффектом, квантовые усилители оптич. диапазона. Эти П. о. и. селективны, и их реакция зависит от величины энергии отд. поглощённых квантов. Спектральная хар-ка П. о. и. с внеш. фотоэффектом имеет характерную длинноволновую (красную) границу в области 0,6—1,2 мкм, определяемую природой в-ва чувствит. элемента приёмника (см. Работа выхода). Фотоэлектрич. П. о. и. с внутр. фотоэффектом в зависимости от типа чувствительны и в далёкой И К области спектра (до 10—30 мкм). Порог чувствительности П. о. и. с внеш. фотоэффектом может быть доведён до 10-12—10-15 Вт/Гц при постоянной времени 10 с. Порог чувствительности т. н. счётчиков фотонов (полупроводниковых лавинных фотодиодов) ещё выше — до 10 Вт/Гц Предельная чувствительность фоторезисторов 10 — 10Вт/Гц при постоянной времени 10 —10 с. [c.586]
c.228
]
Теплоэнергетика и теплотехника Общие вопросы Книга1 (2000) — [
c.250
]
